Ne bilmek istiyorsun
- Samsung, gelişmiş 3nm tabanlı yongalarının üretimine başladı.
- İşlem, güç kullanımını azaltırken performansı artırmak için her yönüyle kapı (GAA) mimarisini kullanır.
- Samsung, gelişmiş çip üretim sürecinde TSMC'yi yener.
Samsung, güç kullanımını azaltırken performansı artırmak için her yönüyle kapı (GAA) transistör mimarisini kullanan 3nm işlem düğümünün ilk üretimine başladı.
Yeni süreç, 5nm sürecinden daha küçük bir yüzey alanında gelişmiş performans vaat ediyor. Samsung iddiaları birinci nesil 3nm işlemi, güç kullanımını %45 oranında azaltırken, performansı %23 oranında artırır ve 5nm'ye kıyasla yüzey alanını %16 oranında küçültür. İkinci nesil daha da iyi performans vaat ediyor: %50 daha az güç tüketimi, %30 iyileştirilmiş performans ve %35 daha küçük yüzey alanı.
Bloomberg Güney Koreli teknoloji devinin 2022'nin ilk yarısında yeni nesil çiplerin seri üretimine başlayacağını bildirdi. Rapora göre Samsung, TSMC'yi yumrukla yenerek 3nm yongaları üretmeye başlayan ilk şirket oldu.
Samsung, Multi-Bridge-Channel FET kullanımının GAA teknolojisinin ilk kez kullanıma sunulduğu zaman olduğunu belirtiyor.
Samsung, yarı iletken yongaları kullanarak yarı iletken yongaları kullanarak yarının güç kaynağı olacak mobil işlemcilere genişletmeden önce nano-tabaka transistörün ilk uygulamasını başlatıyor. en iyi android telefonlar. Bu tür yongalar, yüksek performanslı ve düşük güçlü bilgi işlem uygulamaları için tasarlanmıştır.
Şirket, nanotabakanın kanal genişliğini ayarlamak için 3nm GAA teknolojisini kullanıyor: nanotabakanın kanalı ne kadar genişse, o kadar yüksek performans ve daha yüksek enerji verimliliği elde ediyor. Bu, daha dar kanallara sahip nanoteller kullanan mevcut GAA teknolojilerinin tersidir.
Bu teknik, müşterilerin çeşitli pratik ihtiyaçlarını karşılamak amacıyla gücü optimize etmek için tasarlanmıştır. Bloomberg'e göre Samsung, Hwaseong merkezli tesislerinde 3nm yongalar üretiyor ve çalışmalarını Pyeongtaek fabrikasına genişletmeyi planlıyor.
İlk üretim, Nisan ayındaki raporların ardından başlıyor. Samsung, yeni GAA 3nm üretim sürecinde sorun yaşıyordu düşük verim oranları nedeniyle.
Şirket, Qualcomm'un Snapdragon hattını geride bırakmak için 3nm yongalarını mükemmelleştirmesi gerekse de, bu sorunları çözmüş gibi görünüyor. Yarı iletken devinin bir sonraki işlemcisinin de 3 nm'lik bir süreç üzerine inşa edilmesi muhtemel. Muhtemelen olarak bilinecek Aslanağzı 8 Nesil 2.