Qualcomm šodien oficiāli paziņoja par savas Snapdragon 8 platformas jaunāko versiju Snapdragon 8+ Gen 1, kas lepojas ar veiktspējas uzlabojumiem visā pasaulē un līdz pat 30% efektivitātes pieaugumu salīdzinājumā ar bāzes modeli 8 Gen 1.
Nākamajos mēnešos jaunā platforma tiks izmantota tādu lielo nosaukumu kā OnePlus, Honor un Xiaomi flagmaņos, un tiek baumots, ka tā tiks izmantota arī Samsung ceturtās paaudzes salokāmajos tālruņos. Tātad šī mikroshēma, iespējams, nodrošinās dažus no tiem labākie Android tālruņi 2022. gada beigām.
Pateicoties ASUS zīmolam ROG (Spēlmaņu republika), Android Central ir spējis agri aplūkot jauno mikroshēma ROG SM8475 Engineering Device veidā — faktiski nākamās paaudzes ASUS ROG tālrunis, kas aprīkots ar Snapdragon 8+ 1. paaudze. Pati ierīce, kā norāda nosaukums, ir inženierijas paraugs, un tā nebūs pieejama iegādei. Taču no izskata vien ir skaidrs, ka šī ierīce veidos ROG Phone 6 pamatu.
Tā kā šis ir ļoti agrīns paraugs, mums ir ierobežots tas, ko varam kopīgot no ASUS Snapdragon 8+ Gen 1 prototipa. ASUS pagaidām neļauj atklāt nevienu no tālruņa programmatūras funkcijām, taču mums ir atļauts runāt par ierīces ārpusi.
Pati šasija šķiet kā pagājušā gada ROG estētikas turpinājums ar slīpām apmalēm, diviem USB-C portiem un 3,5 mm austiņu ligzdu. Aizmugurē redzams caurspīdīgs panelis, ko izstrādājis ROG Lab, sniedz mums ieskatu tālruņa iekšpusē. Šim modelim nav uzstādītas aizmugurējās kameras (lai gan *ir* aizmugurējais lukturītis, par ko tas ir vērts). Tā vietā kameras modulis tiek aizstāts ar stikla gabalu, kas atgādina, ka izmantojat "konfidenciālu aprīkojumu".
Interesanti, atšķirībā no iepriekšējie ROG tālruņi, šķiet, ka ierīce ir noslēgta, bez dzesēšanas režģiem, kas pakļauj tālruņa iekšpusi. Uz SIM kartes paliktņa ir uzstādīta arī gumijas blīve.
Mēs arī varējām ierīcē veikt dažādus etalonus, parādot neapstrādātu piedāvāto veiktspēju, kad Snapdragon 8+ Gen 1 ir savienots pārī ar uz spēlēm orientētu šasiju un siltuma izkliedes iespējām. Tā kā šī ir ASUS ROG ierīce, tiešs ābolu līdz ābolu salīdzinājums ar iepriekšējo 8 Gen 1 nav īsti iespējams. Pagājušā gada ROG Phone 5S Pro izmantoja Snapdragon 888 Plus platformu, savukārt lielākā daļa Snapdragon 8 Gen 1 tālruņu, visticamāk, nepiedāvās tādu pašu siltuma veiktspējas līmeni kā ASUS inženiertehniskā ierīce.
Tāpēc ņemiet šos salīdzinājumus ar OnePlus 10 Pro ar šķipsniņu sāls — tie ir izstrādāti, lai sniegtu vispārēju priekšstatu par Qualcomm jaunās platformas veiktspējas uzlabojumiem.
| 0. rinda — 0. šūna | ASUS ROG SM8475 | OnePlus 10 Pro (veiktspējas režīms) |
| Geekbench viena kodola | 1311 | 1242 |
| Geekbench daudzkodolu | 4211 | 3351 |
| Geekbench Compute (Vulkan) | 6388 | 7318 |
| Geekbench Compute (OpenCL) | 6513 | 5932 |
| 3DMark Wild Life Extreme | 2796 | 2557 |
| PCMark Work 3.0 veiktspēja | 16859 | 13848 |
| PCMark Web Browsing 3.0 | 17227 | 12489 |
| PCMark video rediģēšana 3.0 | 7597 | 5756 |
| PCMark rakstīšana 3.0 | 21732 | 20843 |
| PCMark fotoattēlu rediģēšana 3.0 | 37163 | 35773 |
| PCMark datu manipulācijas 3.0 | 12884 | 9501 |
Geekbench lielākā daļa augstas veiktspējas Snapdragon 8 Gen 1 tālruņu pārvalda rādītājus 1200 punktu diapazonā viena kodola un 3800–3900 diapazonā daudzkodolu gadījumā, uzrādot nelielus ieguvumus jaunajai mikroshēmai. Tikmēr 3DMark ir redzama ROG ierīces grafiskā mala, kas intensīvajā Wild Life Extreme testā spēj pārspēt visas ierīces, izņemot Apple. iPhone 13 Pro sērija. Protams, Snapdragon 8+ Gen 1, kas savienots pārī ar ASUS siltuma vadību, PCMark testos pārspēj iepriekšējo paaudzi.
Kādi šie testi nevajag Tomēr pasākums ir apgalvotais Snapdragon 8+ Gen 1 efektivitātes uzlabojums par 30%, daļēji pateicoties pārejai uz TSMC 4nm procesu. Daudziem lietotājiem akumulatora darbības laika uzlabojumi var būt nozīmīgākais šīs paaudzes jauninājums.
Kas attiecas uz ASUS, šķiet, ka tā nākamās paaudzes ROG tālrunis attīstās labi. Pagaidām nav vārda par to, kad sagaidīt ROG Phone 6, taču, tā kā mikroshēma, kas darbina ASUS gaidāmo spēļu tālruni, tagad ir brīvā dabā, mums vairs nevajadzētu gaidīt.