Samsung hoy Anunciado que ha comenzado a producir en masa el primer almacenamiento eUFS (almacenamiento flash universal integrado) 3.1 de 512 GB del mundo, diseñado para teléfonos inteligentes emblemáticos capaces de grabar videos de 8K. La compañía afirma que su nuevo almacenamiento eUFS 3.1 ofrece casi tres veces la velocidad de escritura de la memoria móvil eUFS 3.0 de 512 GB.
Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing en Samsung Electronics, dijo en un comunicado:
Con nuestra introducción del almacenamiento móvil más rápido, los usuarios de teléfonos inteligentes ya no tendrán que preocuparse por el cuello de botella que enfrentan con las tarjetas de almacenamiento convencionales. El nuevo eUFS 3.1 refleja nuestro compromiso continuo de respaldar las crecientes demandas de los fabricantes mundiales de teléfonos inteligentes este año
Con velocidades de escritura secuencial de más de 1,2 GB / s, el nuevo almacenamiento eUFS 3.1 de 512 GB de Samsung es dos veces más rápido que una PC convencional basada en SATA SSD. Las velocidades de escritura ultrarrápidas permitirán a los usuarios almacenar archivos de video de 8K masivos o cientos de fotos de resolución completa sin almacenamiento en búfer. Según la compañía, se necesitarán menos de 2 minutos para transferir 100 GB de datos en teléfonos con almacenamiento eUFS 3.1.
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Cuando se trata de rendimiento aleatorio, el almacenamiento eUFS 3.1 de 512 GB es un 60 por ciento más rápido que el UFS 3.0. Ofrece 100.000 operaciones de entrada / salida por segundo (IOPS) para lecturas y 70.000 IOPS para escrituras. Si bien el almacenamiento eUFS 3.1 de Samsung estará disponible inicialmente solo en una capacidad de 512 GB, planea introducir chips eUFS 3.1 de 256 GB y 128 GB a finales de este año.
El primer teléfono inteligente Galaxy que viene con el nuevo y veloz almacenamiento eUFS 3.1 podría ser el Galaxy nota 20, que se espera que se estrene en algún momento de agosto de este año. los Sucesor de Galaxy Fold También es probable que venga equipado con almacenamiento eUFS 3.1.