Τι πρέπει να ξέρετε
- Η Samsung έχει ξεκινήσει την παραγωγή των προηγμένων τσιπ που βασίζονται σε 3nm.
- Η διαδικασία χρησιμοποιεί την αρχιτεκτονική gate-all-around (GAA) για να βελτιώσει την απόδοση μειώνοντας παράλληλα τη χρήση ενέργειας.
- Η Samsung κερδίζει το TSMC σε προηγμένη διαδικασία κατασκευής chip.
Η Samsung ξεκίνησε την αρχική παραγωγή του κόμβου διεργασίας των 3 nm, ο οποίος χρησιμοποιεί την αρχιτεκτονική τρανζίστορ gate-all-around (GAA) για να ενισχύσει την απόδοση μειώνοντας παράλληλα τη χρήση ενέργειας.
Η νέα διαδικασία υπόσχεται βελτιωμένη απόδοση σε μικρότερη επιφάνεια από τη διαδικασία των 5nm. Η Samsung ισχυρίζεται η πρώτης γενιάς διαδικασία 3nm μειώνει τη χρήση ενέργειας κατά 45%, ενώ βελτιώνει την απόδοση κατά 23% και συρρικνώνει την επιφάνεια κατά 16% σε σύγκριση με τα 5nm. Η δεύτερη γενιά υπόσχεται ακόμα καλύτερες επιδόσεις: 50% λιγότερη κατανάλωση ενέργειας, 30% βελτιωμένη απόδοση και 35% μικρότερη επιφάνεια.
Bloomberg αναφέρει ότι ο νοτιοκορεάτης τεχνολογικός γίγαντας θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή τσιπ επόμενης γενιάς το πρώτο εξάμηνο του 2022. Σύμφωνα με την έκθεση, η Samsung είναι η πρώτη που άρχισε να παράγει τσιπ 3 nm, νικώντας την TSMC μέχρι το τέλος.
Η Samsung σημειώνει ότι η χρήση του Multi-Bridge-Channel FET σηματοδοτεί την πρώτη φορά που τίθεται σε χρήση η τεχνολογία GAA.
Η Samsung λέει ότι χρησιμοποιεί τσιπ ημιαγωγών για να ξεκινήσει την πρώτη εφαρμογή του τρανζίστορ νανοφύλλων προτού το επεκτείνει σε επεξεργαστές κινητών, οι οποίοι θα τροφοδοτήσουν τον αυριανό τα καλύτερα τηλέφωνα Android. Αυτοί οι τύποι τσιπ είναι σχεδιασμένοι για υπολογιστικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης και χαμηλής ισχύος.
Η εταιρεία χρησιμοποιεί την τεχνολογία 3nm GAA για να προσαρμόσει το πλάτος του καναλιού του νανοφύλλου: όσο μεγαλύτερο είναι το κανάλι ενός νανοφύλλου, τόσο υψηλότερη απόδοση και μεγαλύτερη ενεργειακή απόδοση επιτυγχάνει. Αυτό έρχεται σε αντίθεση με τις υπάρχουσες τεχνολογίες GAA που χρησιμοποιούν νανοσύρματα με στενότερα κανάλια.
Αυτή η τεχνική έχει σχεδιαστεί για τη βελτιστοποίηση της ισχύος προκειμένου να καλύψει διάφορες πρακτικές ανάγκες των πελατών. Η Samsung παράγει τσιπ 3 nm στις εγκαταστάσεις της που εδρεύουν στο Hwaseong, με σχέδια να επεκτείνει το έργο της στο fab της Pyeongtaek, σύμφωνα με το Bloomberg.
Η αρχική παραγωγή ξεκινά μετά από αναφορές τον Απρίλιο ότι Η Samsung αντιμετώπιζε προβλήματα με τη νέα διαδικασία κατασκευής GAA 3nm λόγω χαμηλών ποσοστών απόδοσης.
Η εταιρεία φαίνεται να έχει αντιμετωπίσει αυτά τα ζητήματα, αν και χρειάζεται ακόμα να τελειοποιήσει τα τσιπ 3 nm για να ξεπεράσει τη σειρά Snapdragon της Qualcomm. Ο επόμενος επεξεργαστής από τον γίγαντα ημιαγωγών είναι επίσης πιθανό να κατασκευαστεί σε μια διαδικασία 3 nm. Προφανώς θα είναι γνωστό ως Snapdragon 8 Gen 2.